赛能蓄电池封装与流程
来源:    发布时间: 2019-08-21 18:18   214 次浏览   大小:  16px  14px  12px

  赛能蓄电池基板中的每个电池基板上设置活性电池层,其中每个电池基板具有比其对应的活性电池层大的面积。该多个电池基

  赛能蓄电池基板中的每个电池基板上设置活性电池层,其中每个电池基板具有比其对应的活性电池层大的面积。该多个电池基板被附着到具有比该多个电池基板的总面积大的面积的中介层。该附着可经由非导电胶的使用而被执行。通过在该活性电池层上设置薄膜且其大小被调整使得薄膜延伸超过活性电池层以接触电池基板以及中介层,从而该活性电池层被环境地密封;沿着薄膜接触中介层的位置该中介层被物理地分开以便于形成多个电池单元,其中每个电池单元包括电池基板中的一个基板,其上设置有被薄膜环境地密封的关联的活性电池层。
  该多个电池基板中的每个电池基板可具有在其上的电池焊盘,并且该多个电池基板中的每个电池基板可具有在其上形成的、穿过用于该电池基板的电池焊盘的导电过孔。该中介层可具有在其侧面上形成的导电焊盘,在该侧面上该多个电池基板被附着定位以使得当该多个电池基板被附着到中介层时该导电焊盘被电气耦合到导电过孔。将该多个电池基板附着到中介层可包括在中介层的导电焊盘相邻于导电过孔处的相邻位置上沉积导电胶。
  该薄膜可以通过将薄膜中的孔与导电焊盘对准并且将薄膜层压在活性电池层上而被设置在活性电池层上。可以使用至少一个相机将该薄膜中的孔与导电焊盘对准。可以使用在相邻于薄膜的相对转角的孔处设置的一对相机将该薄膜中的孔与导电焊盘对准。
  通过在相邻于电池基板的接纳部分的中介层上沉积胶,以及将多个电池基板相应地设置在电池基板的接纳部分上,从而多个电池基板可以被附着到中介层。电池基板可以是云母。该薄膜在堆叠布置中可以包括粘合层,以及铝薄膜层,以及PET层。此外,多个电池基板可以通过将多个电池基板设置在中介层上而不用首先翻转多个电池基板而被附着到中介层。
  另一方面涉及包括中介层的电子设备。云母基板被设置在中介层上并且具有比中介层的面积小的面积。活性电池层被设置在云母基板上并且具有比云母基板的面积小的面积。薄膜密封活性电池层和云母基板,该薄膜的大小被调整使得该薄膜延伸超过活性电池层以接触云母基板以及中介层。
  电池焊盘可以在相邻于活性电池层的云母基板上。云母基板可以具有在其上形成的、穿过电池焊盘的导电过孔。导电焊盘可以被形成在中介层上并且被电耦合到导电过孔。该薄膜可以具有限定在其中的孔,该孔暴露导电焊盘。
  云母基板可以在形状上是矩形的。活性电池层可以是多边形的,使得通过缺少活性电池层而在云母基板的转角上限定三角区域。电池焊盘可以在该三角区域以内。尽管描述了通过缺少活性电池层而形成三角区域,应当理解的是,活性电池层可以采用任何合适的形状,因而通过缺少活性电池层而形成的区域也可以是任何形状的,诸如弯曲形状或矩形形状。
  该薄膜可以环境地密封活性电池层以阻隔氧和水渗入。此外,该薄膜在堆叠布置中可以包括粘合层,以及铝薄膜层,以及PET层。
  进一步的方面涉及包括中介层的电子设备。多个云母基板可以被设置在中介层上,其中每个云母基板具有比中介层的面积小的面积。活性电池层可以被设置在每个云母基板上并且可以具有比该云母基板的面积小的面积。该中介层针对在其上形成的每个云母基板可以具有导电焊盘的集合。薄膜可以密封活性电池层和云母基板,该薄膜的大小可以使得该薄膜延伸超过每个活性电池层以接触每个云母基板以及中介层。该薄膜可以具有限定在其中的孔,该孔暴露针对每个云母基板的导电焊盘的集合。
  消除电阻压降
  最理想的情况是充电器的输出准确地消除了电阻压降的影响。可能会有人提出这样的解决方案,在充电过程的所有阶段,智能充电器利用智能电池内监测电路数据监视并校正自己的输出。对单个电池系统来说,这是可行的,但对双或多电池系统就不太适用了。
  在双电池系统中,如果可能的话,最好是同时对两个电池进行充放电操作。虽然电池充电是并行的,典型的只有一个SMBUS端口的充电器还是不能胜任这一工作。因为如果只有一个SMBUS端口,充电器或其它SMBUS设备,只能同时与一个电池进行通信。所以,理想的系统应该提供两个或更多个SMBUS端口,这样,两个电池就可以同时与充电器通信了。
  测量电路
  是高精度pt100温度测量系统的前置输入电路部分,其中pt100基准电压与A/D转换器ICL7135的基准电压为同一电压基准源,pt100的2路测量输入信号V1与V2采用同一运算放大器放大(1+R3/R4)倍后进入A/D转换器,使用微型继电器K1进行通道选择,这种方法共用运算放大器、A/D转换器、基准电压源,减小了不同器件之间的差异对测量结果的影响。ICL7135的A/D转换结果通过串行方式与单片机相连,可以大大节约单片机的IO口。该电路在标定时,使用标准电阻100Ω与300Ω进行标定,将标定结果β和RV存入单片机系统的EEpROM中。在实际测量中,单片机系统将β和RV取出,作为已知值,由式(3)计算出电阻Rt值。
  测量电路试验分析
  对比三线制平衡电桥法,该电路检测结果得到了大大提高,表1是2种不同方法的测量标准电阻值的对比。其中r为线路电阻。
  电阻阻值测量结果
  从表1中可以看出,由于三线制平衡电桥法理论测量结果即存在较大误差,且随线路电阻r的增加,引起的误差越大,随待测热电阻阻值增大,绝对误差也呈增大的均势。表1中,最大相对误差为被测电阻Rt=300Ω,线路电阻r=20Ω时,达到了2.57%。本文采用改进后的三线制法的实测结果在所测数据范围内最大绝对误差只有0.3Ω,最大相对误差为±0.1%。电路使用的A/D转换器仅相当于14位的A/D转换精度,若使用更高精度的A/D转换器,可达到更高的测量精度。在实际的热电阻传感器测温仪表中,还需加入由被测电阻转换为对应温度的相关程序。即在测量得到Rt后,由式(1)计算即可精确求解出实际的温度值。

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